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La base d’un transistor est –espace vide–. (A) fortement dopée. (B) modérément dopée. (C) légèrement dopée. (D) Il n’y a pas assez d’informations pour déterminer la réponse.
Cette question nous interroge sur le dopage de la base d’un transistor. Rappelons que les transistors se composent de trois parties différentes : un collecteur, une base et un émetteur. Lorsque l’on dessine ces composants pour un transistor NPN, cela ressemble à quelque chose comme ça. Quel que soit le type de transistor, npn ou pnp, le dopage présent dans les semi-conducteurs qui le composent sera le même.
Dans notre transistor npn, le collecteur et l’émetteur seront beaucoup plus fortement dopés que la base. C’est-à-dire que le collecteur et l’émetteur auront plus d’impuretés dans leur construction, ce qui entraînera une conductivité électrique plus élevée. La base est plus faiblement dopée que le collecteur et l’émetteur, ce qui signifie que la charge électrique aura plus de mal à la traverser.
En revanche, pour les transistors réels, pas les schémas que l’on a tendance à utiliser, la base est très mince. Cette finesse, combinée à un faible dopage, aide à minimiser les risques de recombinaison des porteurs de charge dans le transistor, ce qui augmente le courant de base. Idéalement, on souhaite que le courant de base soit beaucoup plus faible que les courants du collecteur ou de l’émetteur. Par conséquent, la base d’un transistor est légèrement dopée. La bonne réponse ici est (C).
