ورقة تدريب الدرس: الترانزستور الفيزياء

في ورقة التدريب هذه، سوف نتدرَّب على إمكانية استخدام الترانزستور مفتاحًا في الدوائر الكهربية.

س١:

وُصِّل ترانزستور PNP بمصدر تيار مستمر، كما هو موضَّح بالشكل. المنطقتان P متطابقتان.

أيٌّ من مناطق الترانزستور منطقة المُجمِّع؟

  • أP
  • بP

أيٌّ من مناطق الترانزستور منطقة الباعث؟

  • أP
  • بP

س٢:

وصِّل ترانزستور NPN بمصدري تيار مستمر، كما هو موضَّح بالشكل. المنطقتان n متطابقتان.

أيٌّ من مناطق الترانزستور منطقة المجمع؟

  • أN
  • بN

أيٌّ من مناطق الترانزستور منطقة الباعث؟

  • أN
  • بN

س٣:

وُصِّل ترانزستور NPN بمصدر طاقة جهده 𝑉CC. وُصِّل مصدر طاقة جهده 𝑉EB بطرفي الباعث والقاعدة في الترانزستور، كما هو موضَّح بالشكل. يمرُّ التيار 𝐼=99.5CmA بين 𝑉CC وطرف المُجمِّع، والتيار 𝐼E بين 𝑉EB وطرف الباعث، والتيار 𝐼=0.5BmA بين 𝑉EB وطرف القاعدة.

احسب 𝐼E.

  • أ100.5 mA
  • ب99.5 mA
  • ج50 mA
  • د50.5 mA
  • ه100 mA

أوجد المعدل الذي تلتئم به الفجوات بواسطة الإلكترونات الحرة المنتشرة عبر القاعدة. استخدم 1.6×10 C لقيمة شحنة الإلكترون. اكتب الإجابة بالصيغة العلمية، لأقرب منزلة عشرية.

  • أ3.1×10 s−1
  • ب1.1×10 s−1
  • ج3.4×10 s−1
  • د3.3×10 s−1
  • ه1.3×10 s−1

س٤:

وُصِّل ترانزستور من النوع NPN بمصدر طاقة جهده 𝑉CC. وصِّل مصدر طاقة جهده 𝑉EB بطرفَي الباعث والقاعدة للترانزستور، كما هو موضَّح في الشكل. يمرُّ التيار 𝐼=99.5CmA بين 𝑉CC وطرف المُجمِّع، والتيار 𝐼=100.0EmA بين 𝑉EB وطرف الباعث، والتيار 𝐼B بين 𝑉EB وطرف القاعدة.

احسب 𝐼B.

  • أ100.5 mA
  • ب100 mA
  • ج199.5 mA
  • د5 mA
  • ه0.5 mA

نسبة تكبير التيار المستمر في الترانزستور تساوي نسبة 𝐼C إلى 𝐼B. احسب نسبة تكبير التيار المستمر في الترانزستور.

س٥:

وُصِّل ترانزستور من النوع NPN بمصدر تيار مستمر، كما هو موضَّح في الشكل. أيُّ منطقة من منطقتَيْ n المتطابقتين في الترانزستور موصلة أماميًّا؟

  • أN
  • بN
  • جكلتا المنطقتين موصلتان أماميًّا.

س٦:

وصِّل الترانزستور NPN بمصدر طاقة جهده 𝑉CC. وصِّل مصدر طاقة جهده 𝑉EB بطرفي الباعث والقاعدة للترانزستور، كما هو موضَّح في الشكل. يمرُّ التيار 𝐼C بين 𝑉CC وطرف المُجمِّع، والتيار 𝐼E بين 𝑉EB وطرف الباعث، والتيار 𝐼B بين 𝑉EB وطرف القاعدة. وُضعت المقاومة الخارجية 𝑅C بين 𝑉CC وطرف المجمع، والمقاومة الخارجية 𝑅B بين 𝑉EB وطرف القاعدة. فرق الجهد بين طرفي المُجمِّع والباعث يساوي 𝑉CE.

إذا قلَّتْ قيمة 𝑅B، فأيٌّ من الآتي يصف تأثير ذلك على قيمة 𝐼C بشكل صحيح؟

  • أيزداد 𝐼C.
  • بيقلُّ 𝐼C.
  • جيظلُّ 𝐼C ثابتًا.

إذا زادتْ قيمة 𝑅B، فأيٌّ من الآتي يصف تأثير ذلك على قيمة 𝐼C بشكل صحيح؟

  • أيظلُّ 𝐼C ثابتًا.
  • بيزداد 𝐼C.
  • جيقلُّ 𝐼C.

س٧:

وُصِّل ترانزستور من النوع PNP بمصدر تيار مستمر، كما هو موضَّح في الشكل. أيُّ منطقة من منطقتَيْ p المتطابقتين في الترانزستور موصَّلة عكسيًّا؟

  • أP
  • بP
  • جكلتا المنطقتين موصلتان عكسيًّا.

س٨:

وُصِّل الترانزستور NPN بمصدر طاقة جهده 𝑉CC. وُصِّل مصدر طاقة جهده 𝑉BB بطرفَي الباعث والقاعدة للترانزستور، كما هو موضَّح في الشكل. مرَّ تيار شدته 𝐼C بين 𝑉CC وطرف المُجمِّع، وتيار شدته 𝐼E بين 𝑉BB وطرف الباعث، وتيار شدته 𝐼B بين 𝑉BB وطرف القاعدة. وُضِعت المقاومة الخارجية 𝑅C بين 𝑉CC وطرف المُجمِّع، ووُضِعت المقاومة الخارجية 𝑅B بين 𝑉BB وطرف القاعدة. فرق الجهد بين طرفَي المُجمِّع والباعث يساوي 𝑉CE. إذا كانت قِيَم 𝑅B تتغيَّر، فأيُّ لون على التمثيل البياني الموضَّح يُمثِّل بطريقة صحيحة تغيُّر 𝐼C بتغيُّر 𝑅B؟

  • أالأزرق
  • بالأسود
  • جالأخضر
  • دالأحمر
  • هالوردي

س٩:

بالنسبة إلى الترانزستورات الموصَّلة بترتيب القاعدة المشتركة، أيٌّ من الآتي صواب؟

  • أتكون نسبة تكبير التيار أقل من ١، لكنه لا يتلاشى.
  • بتكون نسبة تكبير التيار أكبر من ١.
  • جتتلاشى نسبة تكبير التيار.
  • دلا توجد معلومات كافية لتحديد الإجابة.

س١٠:

أيُّ جزء من الترانزستور هو الأكثر تطعيمًا؟

  • أالمُجمِّع
  • بالقاعدة
  • ججميعها مطعمة بالتساوي.
  • دالباعث

يتضمن هذا الدرس ٢٤ من الأسئلة الإضافية و ٨ من الأسئلة الإضافية المتشابهة للمشتركين.

تستخدم نجوى ملفات تعريف الارتباط لضمان حصولك على أفضل تجربة على موقعنا. معرفة المزيد حول سياسة الخصوصية لدينا.